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物理百科知识点-间接带隙半导体介绍
来源：学大教育 时间：2016-01-02 18:19:10
在物理的学习中，需要我们学习和掌握的知识是很多的，所以在平时的学习中，我们应该重视一些基础知识的学习，提高自己的学习能力，下面是学大的专家为大家总结的物理百科知识点-间接带隙半导体介绍。
间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。
形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处，即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。
同学们了解了物理百科知识点-间接带隙半导体介绍，在平时的学习中，重视基础知识的学习，提高学习能力，这样我们才能在物理的学习中取得好成绩。
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